科技日报讯（通讯员郝成涛）1月8日，在国家科学技术奖励大会上，由南昌大学、晶能光电（江西）有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技术发明一等奖。项目主要人包括晶能光电联合创始人、南昌大学副校长江风益，晶能光电副总裁孙钱博士，晶能光电联合创始人、CEO及晶和照明创始人王敏博士等人。

在半导体照明领域存在三条LED技术路线，分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底LED技术路线。其中，前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的，蓝宝石衬底技术的三位主要发明人获得了2014年度诺贝尔物理学奖；碳化硅衬底LED技术的发明人获得了2003年美国总统技术发明奖。

长期以来，LED行业欧美日占尽先机，分别垄断了蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED知识产权，并逐渐演变成了垄断产品的局面。这项获奖成果历时多年攻关，使中国半导体照明领域LED技术跻身水平。

据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。